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onsemi FDC608PZ-F171

型号:
FDC608PZ-F171
品牌:
onsemi
分类:
场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
封装:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
规格书:
FDC608PZ-F171.pdf
描述:
P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 2.
数量:

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FDC608PZ-F171 规格参数

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产品属性
属性值
品牌:
onsemi
系列:
PowerTrench®
封装/外壳:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
包装:
Bulk
产品状态:
Discontinued at Digi-Key
FET 类型:
P-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压 (Vdss):
20 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
5.8A (Ta)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻):
2.5V, 4.5V
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
30mOhm @ 5.8A, 4.5V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
23 nC @ 4.5 V
栅极电压 (Vgs)(最大值):
±12V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
1330 pF @ 10 V
FET 特性:
-
功耗(最大值):
800mW (Ta)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
SuperSOT™-6
类别:
场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

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FDC608PZ-F171 产品比对

图片 FDC608PZ-F171 FDC608PZ-F171 FDC608PZ-F171
型号 FDC608PZ-F171 FDC608PZ-F171 FDC608PZ-F171
品牌 onsemi onsemi onsemi
系列 - * PowerTrench®
封装/外壳 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
包装 Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
产品状态 Obsolete Active Discontinued at Digi-Key
FET 类型 P-Channel - P-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压 (Vdss) 20 V - 20 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.8A (Ta) - 5.8A (Ta)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 2.5V, 4.5V - 2.5V, 4.5V
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 30mOhm @ 5.8A, 4.5V - 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 1.5V @ 250µA - 1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 23 nC @ 4.5 V - 23 nC @ 4.5 V
栅极电压 (Vgs)(最大值) ±12V - ±12V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 1330 pF @ 10 V - 1330 pF @ 10 V
FET 特性 - - -
功耗(最大值) 800mW (Ta) - 800mW (Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
等级 - - -
认证 - - -
安装类型 Surface Mount - Surface Mount
供应商设备封装 SuperSOT™-6 - SuperSOT™-6

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